Den nya systemkretsen ska medföra rejäla prestandaförbättringar och byggas på 10 nanometers tillverkningsprocess, där Samsung haft ett finger med i leken.
Kretsarna som sitter i dagens smarta telefoner blir bara snabbare och snabbare. I Apples värld står företaget själva för utvecklingen av systemkretsarna i A-serien, men tillverkningen står externa företag för. #Samsung är ett av företagen som tidigare har skött tillverkningen av Apples systemkretsar, och när #Qualcomm nu presenterar nästa generations Snapdragon-kretsar är det just Samsung som står för tillverkningen.
Qualcomm Snapdragon 835 tillverkas på 10 nanometers tillverkningsprocess i Samsungs fabriker. Jämfört med dagens Snapdragon 821-kretsar, som också tillverkas av Samsung fast på 14 nanometers tillverkningsprocess, erbjuder Snapdragon 835 hela 30 procent fler komponenter på samma yta. Detta ska ge upp till 27 procent bättre prestanda, samtidigt som kretsen ska vara 40 procent mer energieffektiv än tidigare.
Konkurrerande kretstillverkare som #TSMC och Intel jobbar för närvarande på att sätta 10 nanometers tillverkningsprocess i drift, men Samsung blir först ut med att bygga kretsar som når kommersiella produkter. Qualcomm uppskattar att de första konsumentprodukterna med #Snapdragon 835 innanför skalet når marknaden under första halvan av 2017, vilket skulle kunna innebära att de används som systemkrets i Samsung Galaxy S8.
Telefoner som utrustas med Snapdragon 835 får dessutom stöd för snabbladdning via tekniken #Quick Charge 4.0 som ska ge 20 snabbare laddningstid jämfört med föregående version av tekniken. Det ska ge fem timmar batteridrift på blott fem minuters laddning.
99mac skrev tidigare i veckan om att Google uppmanar företag att använda snabbladdning via USB-PD om de vill fortsätta tillverka Android-baserade produkter, men enligt Qualcomms specifikationer för Quick Charge 4.0 ska tekniken vara kompatibel med USB-PD och därmed vara kompatibel med Googles riktlinjer för snabbladdning via USB Type-C.